Портал учебных материалов.
Реферат, курсовая работы, диплом.


  • Архитктура, скульптура, строительство
  • Безопасность жизнедеятельности и охрана труда
  • Бухгалтерский учет и аудит
  • Военное дело
  • География и экономическая география
  • Геология, гидрология и геодезия
  • Государство и право
  • Журналистика, издательское дело и СМИ
  • Иностранные языки и языкознание
  • Интернет, коммуникации, связь, электроника
  • История
  • Концепции современного естествознания и биология
  • Космос, космонавтика, астрономия
  • Краеведение и этнография
  • Кулинария и продукты питания
  • Культура и искусство
  • Литература
  • Маркетинг, реклама и торговля
  • Математика, геометрия, алгебра
  • Медицина
  • Международные отношения и мировая экономика
  • Менеджмент и трудовые отношения
  • Музыка
  • Педагогика
  • Политология
  • Программирование, компьютеры и кибернетика
  • Проектирование и прогнозирование
  • Психология
  • Разное
  • Религия и мифология
  • Сельское, лесное хозяйство и землепользование
  • Социальная работа
  • Социология и обществознание
  • Спорт, туризм и физкультура
  • Таможенная система
  • Техника, производство, технологии
  • Транспорт
  • Физика и энергетика
  • Философия
  • Финансовые институты - банки, биржи, страхование
  • Финансы и налогообложение
  • Химия
  • Экология
  • Экономика
  • Экономико-математическое моделирование
  • Этика и эстетика
  • Главная » Рефераты » Физика и энергетика » Полупроводниковые наноструктуры

    Полупроводниковые наноструктуры

    Предмет: Физика и энергетика
    Вид работы: курсовая работа
    Язык: русский
    Дата добавления: 11.2010
    Размер файла: 1957 Kb
    Количество просмотров: 2437
    Количество скачиваний: 56
    Технология изготовления квантовых ям. Применение квантовых наноструктур в электронике. Квантовые нити, их изготовление. Особенности квантовых точек. Сверхрешётки: физические свойства; технология изготовления; энергетическая структура; применение.



    Прямая ссылка на данную страницу:
    Код ссылки для вставки в блоги и веб-страницы:
    Скачать работу
    ВНИМАНИЕ! ССЫЛКА на файл скоро появится !
    Посмотреть текст работы
    Похожие работы:

    Полупроводниковые материалы

    9.12.2010/курсовая работа

    Суть гальваномагнитных явлений в полупроводниковых материалах. Эффекты Холла, Эттингсгаузена и Нернста. Закономерности, структура и химическая связь соединений типа АIIIВV. Изопериодные гетероструктуры. Подвижность носителей заряда в полупроводниках.

    Полупроводниковые микросхемы. Векторная диаграмма электрической цепи. Однополупериодный выпрямитель

    1.02.2011/контрольная работа

    Универсальный элемент полупроводниковой монокристаллической микросхемы, p-n-переходы. Построение векторной диаграммы электрической цепи, определение тока в нулевом проводе. Схема однополупериодного выпрямителя для питания потребителя постоянным током.

    Признаки классификации полупроводниковых приборов

    3.04.2009/реферат, реферативный текст

    Классификация полупроводников по различным признакам, их разновидности и характеристика, отличительные черты. Порядок и схемы включения и применения фотоэлектронных приборов. Динамические свойства аналоговых интегральных микросхем, порядок составления.

    Оптические свойства полупроводниковых пленок в видимой и ИК частях спектра

    1.12.2010/реферат, реферативный текст

    Оптические свойства полупроводников. Механизмы поглощения света и его виды. Методы определения коэффициента поглощения. Пример расчета спектральной зависимости коэффициента поглощения селективно поглощающего покрытия в видимой и ИК части спектра.

    Биполярные транзисторы

    14.11.2008/лекция

    Устройство и принцип действия биполярного транзистора, униполярного транзистора. Силовые полупроводниковые приборы, основные требования, предъявляемые к ним. Характеристика динисторов и транзисторов. Параметры предельных режимов работы транзисторов.

    Изучение свойств P-N-перехода различными методами

    9.03.2007/реферат, реферативный текст

    Физика полупроводников. Примесная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Способы экспериментального определения основных характеристик полупроводниковых приборов. Выпрямление тока. Стабилизация тока.

    Лазеры и их применение

    10.05.2004/реферат, реферативный текст

    Лазерная обработка металлов. Лазерная связь и локация. Лазерные системы навигации и обеспечения безопасности полетов. Лазерные системы управления оружием. Газовые, полупроводниковые, жидкостные, газодинамические, кольцевые лазеры.

    Микроструктурные исследования сплавов системы CuInSe2–CuSbSe2

    25.06.2010/реферат, реферативный текст

    Поиск полупроводниковых соединений в современной фотоэлектронной энергетике для замены монокристаллических кремниевых элементов. Изучение сплавов полупроводниковой системы CuInSe2-CuSbSe2 с помощью рентгенофазового анализа и микроструктурных исследований.

    Особенности фотопроводимости монокристаллов сульфида кадмия при комбинированном возбуждении

    18.03.2008/дипломная работа, ВКР

    Фотоэлектрические свойства неоднородных полупроводниковых образцов. Энергетическая структура омического контакта в присутствии неравномерно распределенных электронных ловушек. Фотоэлектрические свойства кристаллов, обработанных в газовом разряде.

    Получение арсенида галлия

    1.10.2009/курсовая работа

    Металлургические свойства арсенида галлия - химического соединения галлия и мышьяка. Полупроводниковые приборы на его основе. Выращивание кристаллов, направленная кристаллизация. Проведение зонной плавки дополнительной очистки и получения монокристалла.






    Перед Вами представлен документ: Полупроводниковые наноструктуры.

    Категории